如图所示为某离子控制装置,离子室内存在大量带正电的离子。其质量
,电荷量
,控制室被分为I、II、III、IV四个横截面为正方形的区域,正方形边长
,区域间隔
、
、
,
I区域左右为中间带有小孔的平行金属板,板间存在电场强度大小为
,方向水平向右的匀强电场,II,III。IV区域存在包含边界的电场或磁场。以
中间小孔为坐标原点建立三维坐标系,坐标轴及方向如图所示,II区域存在沿
x轴正方向的匀强电场(图中未画出),电场强度
的大小在
间变化;III区域充满沿
y轴正方向的匀强磁场,磁感应强度
,IV区域充满平行于平面
xoy与
y轴正方向成45°角斜向上的匀强磁场,磁感应强度
。从离子室飘入小孔的离子速率忽略,忽略离子间的相互作用,不计离子重力。
(1)若离子进入区域III后能返回区域II,求拉子在边界
上射入点与射出点之间的距离;
(2)为保证有离子能进入区域IV,求
的最大值;
(3)当
、
为上问中的最大值。若离子在区域III的速度沿
z轴时
消失,当离子第一次经过边界
进入区域IV时。区域III的磁场变为沿
y轴正方向、磁感应强度
的匀强磁场并保持不变,求离子第4次经过边界
时的位置坐标。