(1)若在立方体内只存在竖直向下的匀强电场,粒子刚好能够击中g位置,求电场强度的大小;
(2)若撤去电场,立方体内只存在竖直向下的匀强磁场,要求无粒子打到荧光屏上,求磁感应强度的最小值;
(3)立方体内同时存在方向均竖直向下的匀强电场和匀强磁场,且磁感应强度的大小为,现使粒子源绕竖直轴匀速转动,足够长时间内,要求无粒子打到荧光屏上,求电场强度E的大小范围;
(4)立方体内只存在竖直向下的匀强磁场,粒子源绕竖直轴匀速转动,足够长时间内,设四个侧面吸收粒子数在发射粒子总数中的占比为,试写出随磁感应强度B变化的关系式。
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y = sin x, x∈R, y∈[–1,1],周期为2π,函数图像以 x = (π/2) + kπ 为对称轴
y = arcsin x, x∈[–1,1], y∈[–π/2,π/2]
sin x = 0 ←→ arcsin x = 0
sin x = 1/2 ←→ arcsin x = π/6
sin x = √2/2 ←→ arcsin x = π/4
sin x = 1 ←→ arcsin x = π/2
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