(1)可用于制备、(亚硝基胍)等含氮化合物,基态的核外电子排布为
(2)N、P位于同一主族,,分子结构如图所示:
①中键的键角比中键的键角更大,其主要原因是
②比易液化,其主要原因是
(3)氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料,具有耐高温、耐高电压等特性,随着技术的发展,GaN商用进入“快车道”。下列相关说法
a.位于元素周期表ds区
b.的离子半径大于的离子半径
c.GaN属于分子晶体
(4)某一种氮化硼晶体的晶胞结构如下图:
①氮化硼的化学式
②已知该晶胞的边长为,阿伏加德罗常数为,则晶胞的密度为
同类型试题
y = sin x, x∈R, y∈[–1,1],周期为2π,函数图像以 x = (π/2) + kπ 为对称轴
y = arcsin x, x∈[–1,1], y∈[–π/2,π/2]
sin x = 0 ←→ arcsin x = 0
sin x = 1/2 ←→ arcsin x = π/6
sin x = √2/2 ←→ arcsin x = π/4
sin x = 1 ←→ arcsin x = π/2
y = sin x, x∈R, y∈[–1,1],周期为2π,函数图像以 x = (π/2) + kπ 为对称轴
y = arcsin x, x∈[–1,1], y∈[–π/2,π/2]
sin x = 0 ←→ arcsin x = 0
sin x = 1/2 ←→ arcsin x = π/6
sin x = √2/2 ←→ arcsin x = π/4
sin x = 1 ←→ arcsin x = π/2