已知:
①Ga与Al同主族,化学性质相似。
②常温下,,,。
③、在该工艺条件下的反萃取率(进入水相中金属离子的百分数)与盐酸浓度的关系见下表。
盐酸浓度/ | 反萃取率/% | |
2 | 86.9 | 9.4 |
4 | 69.1 | 52.1 |
6 | 17.5 | 71.3 |
(1)“酸浸”时发生反应的离子方程式为
(2)“酸浸”所得浸出液中、浓度分别为0.21、65。常温下,为尽可能多地提取并确保不混入,“调pH”时需用CaO调pH至
(3)“脱铁”和“反萃取”时,所用盐酸的浓度a=
(4)“沉镓”时,若加入NaOH的量过多,会导致的沉淀率降低,原因是
(5)利用CVD(化学气相沉积)技术,将热分解得到的与在高温下反应可制得GaN,同时生成另一种产物,该反应化学方程式为
(6)①GaN的熔点为1700℃,的熔点为77.9℃,它们的晶体类型依次为
②GaN晶体的一种立方晶胞如图所示。该晶体中与Ga原子距离最近且相等的N原子个数为
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y = sin x, x∈R, y∈[–1,1],周期为2π,函数图像以 x = (π/2) + kπ 为对称轴
y = arcsin x, x∈[–1,1], y∈[–π/2,π/2]
sin x = 0 ←→ arcsin x = 0
sin x = 1/2 ←→ arcsin x = π/6
sin x = √2/2 ←→ arcsin x = π/4
sin x = 1 ←→ arcsin x = π/2
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